芯见微的非接触式光学量测能力覆盖介质薄膜、光栅、纳米线、外延与掺杂结构，直至三维纳米光存储与先进封装 TSV 的尺寸与形貌表征。以下六个案例为已验证的典型量测任务与能力指标。
案例一：半导体介质薄膜厚度测量
薄膜厚度测量范围：1~500 nm；测量精度：≤1nm
案例二：光栅结构关键参数测量
光栅结构测量尺寸范围：1-500 nm；测量精度：≤1nm
案例三：纳米线结构的关键参数测量
纳米线结构尺寸范围：1~500 nm；测量精度：≤5nm
案例四：外延及掺杂过程的元素浓度测量以及尺寸测量
掺杂浓度测量精度：≤0.01%；尺寸范围：1~500 nm
案例五：三维纳米光存储器测量与表征
面向高密度三维光存储器的结构表征需求，利用角分辨散射测量获取存储结构的光谱响应，通过散射光谱与结构形貌之间的定量关联，实现存储信息的光学编码与解码。
案例六：先进封装 TSV 形貌测量
TSV 尺寸范围：Φ≤10 μm；尺寸测量精度≤10nm