团队四项授权发明专利公开,覆盖缺陷检测、ANN 建模与纳米结构量测

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团队四项授权发明专利公开,覆盖缺陷检测、ANN 建模与纳米结构量测

芯见微核心团队在半导体量测与先进封装方向已获授权发明专利四项,覆盖从测试结构设计、算法建模到器件制备的完整技术链条。四项证书原件如下。

一、用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法

发明专利证书:用于检测系统缺陷的简化测试结构设计方法,证书号第5114747号
证书号第5114747号 · 专利号 ZL 2020 1 1573097.7 · 授权公告号 CN 112685889 B · 2022 年 4 月 29 日授权

二、基于 ANN 的光学特性建模数据库生成方法

发明专利证书:基于ANN的光学特性建模数据库生成方法,证书号第6675932号
证书号第6675932号 · 专利号 ZL 2020 1 1584307.2 · 授权公告号 CN 112699095 B · 2024 年 2 月 2 日授权

三、一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法

发明专利证书:一种堆叠纳米片结构的测量模型构建方法、测量方法,证书号第5588661号
证书号第5588661号 · 专利号 ZL 2022 1 0154984.3 · 授权公告号 CN 114623777 B · 2022 年 11 月 18 日授权

四、光电共封装器件及其制备方法

发明专利证书:光电共封装器件及其制备方法,证书号第8800573号
证书号第8800573号 · 专利号 ZL 2025 1 0537879.1 · 授权公告号 CN 120469014 B · 2026 年 3 月 24 日授权

四项专利的申请日集中在 2020 年至 2025 年,专利权人为武汉大学,核心技术团队为发明人。专利布局覆盖缺陷检测结构、基于人工神经网络的建模数据库生成、纳米结构测量模型构建,以及光电共封装器件制备等方向,与公司当前「非接触式光学量测 + 先进封装」的产品路线一致。